FM24W256-G, F-RAM IIC FRAM 256k 3-5V F-RAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 700 ֏
от 10 шт. —
6 100 ֏
от 100 шт. —
5 600 ֏
от 250 шт. —
5 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 700 ֏
Описание
Semiconductors\Memory ICs\F-RAM
Serial FRAM Nonvolatile Memory DevicesInfineon Technologies Serial F-RAM (ferroelectric RAM) memories combine the nonvolatile data storage capability of ROM with the fast speeds of RAM. Serial F-RAM features a variety of interface and density options, including SPI and I 2 C interfaces, industry-standard packages, and densities ranging from 4KB to 4MB. Infineon Serial F-RAMs have three distinct advantages over other nonvolatile memory technologies: fast write speed, extremely high endurance, and low power consumption. Serial F-RAMs provide 100 trillion cycle endurance, exceeding the 1 million write cycle limitation of EEPROM. This eliminates the need for wear leveling to support a product over its lifespan.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 970 |
| Interface Type: | I2C |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Memory Size: | 256 kbit |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Supply Voltage: | 3.3 V |
| Organization: | 32 k x 8 |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Packaging: | Tube |
| Product Category: | F-RAM |
| Product Type: | FRAM |
| Series: | FM24W256-G |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Supply Voltage - Max: | 5.5 V |
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
| Максимальная рабочая температура | +85 °C |
| Длина | 4.97мм |
| Минимальное рабочее напряжение питания | 2.7 V |
| Производитель | Cypress Semiconductor |
| Объем памяти | 256Кбит |
| Тип корпуса | SOIC |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -40 °C |
| Ширина | 3.98мм |
| Организация | 32К x 8 бит |
| Высота | 1.48мм |
| Максимальное рабочее напряжение питания | 5.5 V |
| Число контактов | 8 |
| Размеры | 4.97 x 3.98 x 1.48мм |
| Тип интерфейса | Последовательный, 2-проводной; последовательный, I2C |
| Количество слов | 32K |
| Количество бит на слово | 8бит |
| Automotive Standard | AEC-Q100 |
| Data Bus Width | 8bit |
| Interface Type | I2C |
| Maximum Operating Supply Voltage | 5.5 V |
| Maximum Operating Temperature | +85 °C |
| Maximum Random Access Time | 3000ns |
| Memory Size | 256kbit |
| Minimum Operating Supply Voltage | 2.7 V |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Bits per Word | 8bit |
| Number of Words | 32k |
| Organisation | 32K x 8 bit |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Width | 3.98mm |
| Диапазон рабочих температур | -40…+85 °С |
| Напряжение питания | 2.7…5.5 В |
| Описание | 256-Kbit(32 K × 8)Serial(I2C)F-RAM |
| Память | FRAM 256 Кбит |
| Потребляемый ток | 100(при F-100 кГц)мкА |
| Тип | М/с памяти серии FM24W256-G |
| Упаковка | REEL |
| Частота | 1 МГц |
| Вес, г | 0.54 |
