MT46H16M32LFB5-5 IT:C, DRAM MOBILE DDR 512M 16MX32 FBGA IT T67M

Фото 1/2 MT46H16M32LFB5-5 IT:C, DRAM MOBILE DDR 512M 16MX32 FBGA IT T67M
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7 300 ֏
от 10 шт.5 400 ֏
от 100 шт.4 850 ֏
от 250 шт.4 220 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 300 ֏
Номенклатурный номер: 8004787542

Описание

Semiconductors\Memory ICs\DRAM
Low-Power DRAM (LPDRAM)
Micron Low-Power DRAM (LPDRAM) offer features and functionality for computing devices, mobile phones, and automotive infotainment systems. Design applications using less power, time, and space. Micron offers a wide range of LPDRAM with low power consumption, high performance, choice of densities, and wide temperature ranges to get the most out of designs.

Технические параметры

Access Time: 5 ns
Brand: Micron
Data Bus Width: 32 bit
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1440
Manufacturer: Micron Technology
Maximum Clock Frequency: 200 MHz
Maximum Operating Temperature: +85 C
Memory Size: 512 Mbit
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Organization: 16 M x 32
Package / Case: VFBGA-90
Packaging: Tray
Product Category: DRAM
Product Type: DRAM
Series: MT46H
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 70 mA
Supply Voltage - Max: 1.95 V
Supply Voltage - Min: 1.7 V
Type: SDRAM Mobile-LPDDR
Address Bus Width - (bit) 15
Automotive No
Data Bus Width - (bit) 32
Interface Type LVCMOS
Maximum Access Time - (ns) 6.5I5
Maximum Clock Rate - (MHz) 200
Maximum Operating Supply Voltage - (V) 1.95
Military No
Minimum Operating Supply Voltage - (V) 1.7
Number of Internal Banks 4
Number of Words per Bank 4M
Operating Current - (mA) 115
Operating Temperature - (??C) -40~85
Packaging Tray
Pin Count 90
Standard Package Name BGA
Supplier Package VFBGA
Supplier Temperature Grade Industrial
IC Case / Package VFBGA
Memory Configuration 16M x 32bit
Время Доступа 5нс
Количество Выводов 90вывод(-ов)
Конфигурация памяти DRAM 16М x 32бит
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Максимальная Тактовая Частота 200МГц
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Монтаж Микросхемы SMD(Поверхностный Монтаж)
Номинальное Напряжение Питания 1.8В
Плотность DRAM 512Мбит
Плотность Памяти 512Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти VFBGA
Тактовая Частота 200МГц
Тип DRAM Mobile LPDDR

Техническая документация

Datasheet
pdf, 5855 КБ
Документация
pdf, 1046 КБ