UF3C170400K3S, SiC MOSFETs 1700V/400mOhms, SICFET,G3,TO247-3

UF3C170400K3S, SiC MOSFETs 1700V/400mOhms, SICFET,G3,TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1650 шт., срок 6-8 недель
8 800 ֏
от 25 шт.7 400 ֏
от 100 шт.6 000 ֏
от 250 шт.4 690 ֏
1 шт. на сумму 8 800 ֏
Номенклатурный номер: 8004792674
Бренд: Qorvo Inc.

Описание

Unclassified
High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

Технические параметры

Brand: Qorvo/UnitedSiC
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 600
Fall Time: 28 ns
Id - Continuous Drain Current: 7.6 A
Manufacturer: Qorvo
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 100 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 27.5 nC
Qualification: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.07 Ohms
Rise Time: 13 ns
Series: UF3C
Subcategory: MOSFETs
Technology: SiC
Tradename: SiC FET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 34 ns
Typical Turn-On Delay Time: 17 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.7 kV
Vgs - Gate-Source Voltage: -25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 6 V
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 245 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 4 сентября1 бесплатно
HayPost 8 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг