UF3C170400K3S, SiC MOSFETs 1700V/400mOhms, SICFET,G3,TO247-3
![UF3C170400K3S, SiC MOSFETs 1700V/400mOhms, SICFET,G3,TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/525/DOC013525238.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1650 шт., срок 6-8 недель
8 800 ֏
от 25 шт. —
7 400 ֏
от 100 шт. —
6 000 ֏
от 250 шт. —
4 690 ֏
1 шт.
на сумму 8 800 ֏
Номенклатурный номер: 8004792674
Бренд: Qorvo Inc.
Описание
Unclassified
High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors
Технические параметры
Brand: | Qorvo/UnitedSiC |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Fall Time: | 28 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 7.6 A |
Manufacturer: | Qorvo |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 100 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 27.5 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.07 Ohms |
Rise Time: | 13 ns |
Series: | UF3C |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | SiC |
Tradename: | SiC FET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.7 kV |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6 V |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 245 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг