UF3SC120016K3S, SiC MOSFETs 1200V/16mOhms, SICFET,G3,TO247-3
![UF3SC120016K3S, SiC MOSFETs 1200V/16mOhms, SICFET,G3,TO247-3](https://static.chipdip.ru/lib/525/DOC013525238.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
281 шт., срок 6-8 недель
56 600 ֏
от 25 шт. —
40 100 ֏
от 100 шт. —
37 400 ֏
от 250 шт. —
37 200 ֏
1 шт.
на сумму 56 600 ֏
Номенклатурный номер: 8004792677
Бренд: Qorvo Inc.
Описание
Unclassified
UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAKUnitedSiC / Qorvo UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK-7L (7-lead Kelvin package) are based on a unique 'cascode' circuit configuration and feature excellent reverse recovery. This circuit configuration includes a normally-on SiC JFET to be co-packaged with Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow true "drop-in replacement" to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These high-performance SiC FETs operate at 175°C maximum temperature, 43nC low gate charge, and 5V typical threshold voltage. Typical applications include telecom and server power, motor drives, induction heating, and industrial power supplies.
Технические параметры
Brand: | Qorvo/UnitedSiC |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Id - Continuous Drain Current: | 107 A |
Manufacturer: | Qorvo |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 517 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 218 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms |
Series: | UF3SC |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | SiC |
Tradename: | SiC FET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 388 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг