UJ4C075018K4S, SiC MOSFETs 750V/18mOhms, SICFET,G4,TO247-4
![UJ4C075018K4S, SiC MOSFETs 750V/18mOhms, SICFET,G4,TO247-4](https://static.chipdip.ru/lib/525/DOC013525232.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
178 шт., срок 6-8 недель
21 100 ֏
от 25 шт. —
16 600 ֏
от 100 шт. —
13 400 ֏
1 шт.
на сумму 21 100 ֏
Номенклатурный номер: 8004792699
Бренд: Qorvo Inc.
Описание
Unclassified
High-Performance SiC FETsUnitedSiC / Qorvo High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.
Технические параметры
Brand: | Qorvo/UnitedSiC |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Id - Continuous Drain Current: | 81 A |
Manufacturer: | Qorvo |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-4 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 385 W |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
Series: | UJ4C |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | SiC |
Tradename: | SiC FET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 750 V |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 464 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг