APT85GR120J, IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 85 A SOT-227
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
41 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 41 200 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 595 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 118 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | ISOTOP-4 |
| Вес, г | 1 |
