L6491DTR, Gate Drivers High volt high and low-side 4 A gate driver
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
111762 шт., срок 6-9 недель
3 160 ֏
от 10 шт. —
2 540 ֏
от 100 шт. —
2 030 ֏
от 250 шт. —
1 780 ֏
1 шт.
на сумму 3 160 ֏
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
MOSFET & IGBT Gate DriversSTMicroelectronics MOSFET & IGBT Gate Drivers are a portfolio of discrete devices for industrial, consumer, computer and automotive applications. The portfolio offers a range spanning from single- to half-bridge and multiple-channel drivers. The drivers are rated for either low- or high-voltage (up to 1500V) applications. ST also offers galvanically-isolated gate driver ICs for safety and functional requirements. System-in-Package (SiP) solutions integrate high- and low-side gate drivers and MOSFET-based power stages. This makes them ideal for the industrial market with higher levels of integration and lower development costs.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Maximum Turn-Off Delay Time: | 120 ns |
| Maximum Turn-On Delay Time: | 120 ns |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Drivers: | 2 Driver |
| Number of Outputs: | 2 Output |
| Off Time - Max: | 120 ns |
| Output Current: | 4 A |
| Output Voltage: | 580 V |
| Package / Case: | SOIC-14 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | Gate Drivers |
| Product Type: | Gate Drivers |
| Product: | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 175 Ohms |
| Rise Time: | 15 ns |
| Series: | L6491 |
| Shutdown: | Shutdown |
| Subcategory: | PMIC-Power Management ICs |
| Supply Voltage - Max: | 20 V |
| Supply Voltage - Min: | 10 V |
| Technology: | Si |
| Type: | High-Side, Low-Side |
| IC Case / Package | SOIC |
| Задержка Выхода | 85нс |
| Задержка по Входу | 85нс |
| Количество Выводов | 14вывод(-ов) |
| Конфигурация Привода | Высокая Сторона и Низкая Сторона |
| Максимальная Рабочая Температура | 125 C |
| Максимальное Напряжение Питания | 20В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Минимальное Напряжение Питания | 10В |
| Стиль Корпуса Привода | SOIC |
| Тип переключателя питания | MOSFET |
| Ток истока | 4А |
| Ток стока | 4А |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
