BFS17NTA, RF Bipolar Transistors SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

530 ֏

от 10 шт. — 383 ֏

от 100 шт. — 286 ֏

от 500 шт. — 227 ֏

1 шт. на сумму 530 ֏

Номенклатурный номер: 8004841607

Бренд: DIODES INC.

RF & Wireless\RF Transistors\RF Bipolar Transistors

Brand:	Diodes Incorporated
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	11 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	50 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	56 at 5 mA, 10 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Manufacturer:	Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Operating Frequency:	3.2 GHz
Package / Case:	SOT-23-3
Pd - Power Dissipation:	310 mW
Product Category:	RF Bipolar Transistors
Product Type:	RF Bipolar Transistors
Series:	BFS17
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Transistor Type:	Bipolar
Collector Emitter Voltage Max	11В
Continuous Collector Current	50мА
DC Current Gain hFE Min	56hFE
DC Ток Коллектора	50мА
DC Усиление Тока hFE	56hFE
Power Dissipation	310мВт
Квалификация	-
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Корпус РЧ Транзистора	SOT-23
Линейка Продукции	-
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер	11В
Полярность Транзистора	NPN
Рассеиваемая Мощность	310мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности	-
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Частота Перехода ft	3.2ГГц
Вес, г	0.01