DXT2013P5-13, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A

DXT2013P5-13, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
800 ֏
от 10 шт.710 ֏
от 100 шт.427 ֏
от 500 шт.345 ֏
1 шт. на сумму 800 ֏
Номенклатурный номер: 8004841630
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 740 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 5 at - 10 A, - 1 V
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 10 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 340 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 5 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 125 MHz
Размер фабричной упаковки 5000
Серия DXT201
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок PowerDI-5
Вес, г 0.096

Техническая документация

Datasheet DXT2013P5-13
pdf, 205 КБ