DXTP03200BP5-13, Bipolar Transistors - BJT 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
970 ֏
от 10 шт. —
800 ֏
от 100 шт. —
540 ֏
от 500 шт. —
405 ֏
1 шт.
на сумму 970 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W
Технические параметры
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Серия | DXTP03200 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 465 |
Техническая документация
Datasheet DXTP03200BP5-13
pdf, 444 КБ
