DXTP560BP5-13, Bipolar Transistors - BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 ֏
от 10 шт. —
620 ֏
от 100 шт. —
379 ֏
от 500 шт. —
305 ֏
1 шт.
на сумму 710 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 500 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 500 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 200 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -150 mA |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 60 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 150 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI-5 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.8 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | DXTP560 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Collector Emitter Voltage Max | 500В |
| Continuous Collector Current | 150мА |
| DC Current Gain hFE Min | 15hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 15hFE |
| Power Dissipation | 2.8Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | DXT Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerDI5 |
| Частота Перехода ft | 60МГц |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 164 КБ
