FCX1047ATA, Bipolar Transistors - BJT NPN Low Saturation

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

930 ֏

от 10 шт. — 750 ֏

от 100 шт. — 520 ֏

от 500 шт. — 385 ֏

1 шт. на сумму 930 ֏

Номенклатурный номер: 8004841636

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN Low Saturation

Pd - рассеивание мощности	2000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.6 mm
Длина	4.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	60 at 20 A, 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	280
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	20 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	35 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	10 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	350 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	4 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FCX10
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.6 mm
Вес, г	0.052