FMMT495TC, Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
322 ֏
от 10 шт. —
238 ֏
от 100 шт. —
137 ֏
от 1000 шт. —
108 ֏
1 шт.
на сумму 322 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 3 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 170 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Серия | FMMT49 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO | 170 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 150 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.3 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 1 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 100 MHz |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | FMMT49 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Collector Emitter Voltage Max | 150В |
| DC Current Gain hFE Min | 10hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 10hFE |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet FMMT495TC
pdf, 473 КБ
