FMMT718TA, Bipolar Transistors - BJT PNP SuperSOT
![Фото 1/7 FMMT718TA, Bipolar Transistors - BJT PNP SuperSOT](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735666.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/458/DOC004458815.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC016769276.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/546/DOC029546401.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/037/DOC033037197.jpg)
530 ֏
от 10 шт. —
418 ֏
от 100 шт. —
282 ֏
от 500 шт. —
209 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор биполярный FMMT718TA от производителя DIODES INCORPORATED представляет собой высококачественный компонент в категории полупроводниковых изделий. Этот PNP транзистор ориентирован на монтаж SMD, что гарантирует удобство при использовании в современном поверхностном монтаже на печатные платы. Благодаря току коллектора 2,5 А и мощности 0,625 Вт, он идеально подходит для широкого спектра электронных применений. Корпус транзистора выполнен в формате SOT23-3, что обеспечивает его компактность и надежность при эксплуатации. Используя FMMT718TA в своих проектах, вы получаете надежный компонент от известного производителя. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Монтаж | SMD |
Ток коллектора, А | 2.5 |
Мощность, Вт | 0.625 |
Корпус | SOT23-3 |
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 20 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 145 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | -1.5 A |
DC Current Gain hFE Max: | 300 at 10 mA, 2 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 180 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 1.5 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | FMMT718 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Maximum Collector Base Voltage | 20 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -20 V |
Maximum DC Collector Current | -1.5 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 180 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 625 mW |
Minimum DC Current Gain | 300 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Lead Finish | Matte Tin |
Max Processing Temp | 260 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1@50mA@1.5A V |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.04@10mA@0.1AI0.2@20mA@1AI0.22@50mA@1.5A V |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
Type | PNP |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 578 КБ
Datasheet FMMT718TA
pdf, 584 КБ
Datasheet FMMT718
pdf, 389 КБ