FMMTL717TA, Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 ֏
от 10 шт. —
530 ֏
от 100 шт. —
260 ֏
от 1000 шт. —
167 ֏
1 шт.
на сумму 660 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3.05 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.25 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 12 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1.25 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 205 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | FMMTL |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Вес, г | 0.008 |
