FZT1147ATA, Bipolar Transistors - BJT PNP -12V VCEO 5A High Gain Med PWR
![Фото 1/3 FZT1147ATA, Bipolar Transistors - BJT PNP -12V VCEO 5A High Gain Med PWR](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514428.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/285/DOC005285762.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/609/DOC007609938.jpg)
1 150 ֏
от 10 шт. —
930 ֏
от 100 шт. —
620 ֏
от 500 шт. —
466 ֏
1 шт.
на сумму 1 150 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP -12V VCEO 5A High Gain Med PWR
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.65 mm (Max) |
Длина | 6.7 mm (Max) |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 10 mA at 2 V, 250 at 0.5 A at 2 V, 200 at 2 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 270 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 115 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FZT114 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm (Max) |
Base Product Number | FZT1147 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 10mA, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 115MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 2.5W |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Collector Emitter Voltage Max | 12В |
Continuous Collector Current | 5А |
DC Current Gain hFE Min | 150hFE |
DC Усиление Тока hFE | 150hFE |
Power Dissipation | 3Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
Частота Перехода ft | 115МГц |
Вес, г | 0.112 |
Техническая документация
Datasheet FZT1147ATA
pdf, 522 КБ