FZT1147ATA, Bipolar Transistors - BJT PNP -12V VCEO 5A High Gain Med PWR

Фото 1/3 FZT1147ATA, Bipolar Transistors - BJT PNP -12V VCEO 5A High Gain Med PWR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 150 ֏
от 10 шт.930 ֏
от 100 шт.620 ֏
от 500 шт.466 ֏
1 шт. на сумму 1 150 ֏
Номенклатурный номер: 8004841703
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP -12V VCEO 5A High Gain Med PWR

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 2.5 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.65 mm (Max)
Длина 6.7 mm (Max)
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 270 at 10 mA at 2 V, 250 at 0.5 A at 2 V, 200 at 2
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 270
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 15 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 5 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 115 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FZT114
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.7 mm (Max)
Base Product Number FZT1147 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 10mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 115MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 2.5W
REACH Status REACH Affected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Collector Emitter Voltage Max 12В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 150hFE
DC Усиление Тока hFE 150hFE
Power Dissipation 3Вт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-223
Частота Перехода ft 115МГц
Вес, г 0.112

Техническая документация

Datasheet FZT1147ATA
pdf, 522 КБ