FZT1149ATA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Gain & Crnt
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 ֏
от 10 шт. —
710 ֏
от 100 шт. —
418 ֏
от 500 шт. —
344 ֏
1 шт.
на сумму 800 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Gain & Crnt
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.65 mm |
| Длина | 6.7 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 195 at 2 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 270 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 230 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 135 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | FZT114 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Base Product Number | FZT1149 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 500mA, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 135MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Power - Max | 2.5W |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 140mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
| Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -25 V |
| Maximum DC Collector Current | -4 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 135 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Pin Count | 3+Tab |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 0.112 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 560 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FZT1149ATA
pdf, 553 КБ
Datasheet FZT1149ATA
pdf, 97 КБ
