FZT458TA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage
![Фото 1/4 FZT458TA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514428.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/466/DOC021466578.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/609/DOC007609938.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
580 ֏
от 10 шт. —
530 ֏
от 100 шт. —
308 ֏
от 500 шт. —
277 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.65 mm (Max) |
Длина | 6.7 mm (Max) |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.3 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 400 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FZT458 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm (Max) |
Base Product Number | FZT458 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 50MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 2W |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 6mA, 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 400V |
Maximum DC Collector Current | 300mA |
Pd - Power Dissipation | 2W |
Maximum Collector Base Voltage | 400 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 400 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223(SC-73) |
Pin Count | 3+Tab |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 0.112 |