Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › FZT491TA, Bipolar Transistors - BJT NPN ...

FZT491TA, Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

840 ֏

от 10 шт. — 750 ֏

от 100 шт. — 458 ֏

от 500 шт. — 368 ֏

1 шт. на сумму 840 ֏

Номенклатурный номер: 8004841708

Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 3Вт, SOT223 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	2 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.65 mm
Длина	6.7 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	160 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FZT491
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.7 mm
EU RoHS	Compliant with Exemption
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.75
Package Height	1.6
Package Width	3.5
Package Length	6.5
Mounting	Surface Mount
PCB changed	3
Lead Shape	Gull-wing
Tab	Tab
Type	NPN
Product Category	Bipolar Power
Material	Si
Configuration	Single Dual Collector
Number of Elements per Chip	1
Maximum Collector Base Voltage (V)	80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	60
Maximum Emitter Base Voltage (V)	7
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	1.1@100mA@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.5@100mA@1A\|0.25@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A)	1
Minimum DC Current Gain	30@2A@5V\|100@500mA@5V\|80@1A@5V\|100@1mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW)	3000
Maximum Transition Frequency (MHz)	150(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tape and Reel
Automotive	No
Pin Count	4
Supplier Package	SOT-223
Standard Package Name	SOT
Military	No
Base Product Number	FZT491 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 500mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	150MHz
HTSUS	8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power - Max	2W
REACH Status	REACH Affected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Collector Emitter Voltage Max	60В
Continuous Collector Current	1А
DC Current Gain hFE Min	80hFE
DC Усиление Тока hFE	80hFE
Power Dissipation	3Вт
Квалификация	-
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	-
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-223
Частота Перехода ft	150МГц
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	60 V
Maximum DC Collector Current	1 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	150 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	2 W
Package Type	SOT-223
Transistor Configuration	Single
Вес, г	0.112