FZT493TA, Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
840 ֏
от 10 шт. —
710 ֏
от 100 шт. —
440 ֏
от 500 шт. —
345 ֏
1 шт.
на сумму 840 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | FZT493 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 120 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 100 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.15@100mA@1A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@50mA@500mA|0.6@100mA@1A |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Minimum DC Current Gain | 30@1A@10V|80@500mA@10V|100@1mA@10V|100@250mA@10V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | Yes |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Pin Count | 4 |
| Standard Package Name | SOT-223 |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 1.65(Max) |
| Package Length | 6.7(Max) |
| Package Width | 3.7(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Base Product Number | FZT493 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 250mA, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Power - Max | 2W |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 100V |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Вес, г | 0.112 |
