FZT589TA, Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power

FZT589TA, Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
840 ֏
от 10 шт.750 ֏
от 100 шт.458 ֏
от 500 шт.368 ֏
1 шт. на сумму 840 ֏
Номенклатурный номер: 8004841713
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 2 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.65 mm (Max)
Длина 6.7 mm (Max)
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FZT589
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.7 mm (Max)
Вес, г 0.112

Техническая документация

Datasheet FZT589TA
pdf, 476 КБ