FZT591ATA, Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 ֏
от 10 шт. —
620 ֏
от 100 шт. —
401 ֏
от 500 шт. —
328 ֏
1 шт.
на сумму 710 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 2 A, 5 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | FZT591 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Вес, г | 0.112 |
