Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › FZT655TA, Bipolar Transistors - BJT NPN High ...

FZT655TA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

620 ֏

от 10 шт. — 530 ֏

от 100 шт. — 344 ֏

от 500 шт. — 294 ֏

1 шт. на сумму 620 ֏

Номенклатурный номер: 8004841720

Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN High Voltage

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	2 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.65 mm
Длина	6.7 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	50 at 10 mA, 5 V, 50 at 500 mA, 5 V, 20 at 1 A,
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	50
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	150 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	150 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	180 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	30 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FZT655
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.7 mm
Case	SOT223
Collector current	1A
Collector-emitter voltage	150V
Frequency	30MHz
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	DIODES INCORPORATED
Mounting	SMD
Polarisation	bipolar
Power dissipation	3W
Type of transistor	NPN
Collector Current (Ic)	1A
Collector Cut-Off Current (Icbo)	100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	150V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	500mV@200mA, 1A
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	50@500mA, 5V
Power Dissipation (Pd)	2W
Transistor Type	NPN
Transition Frequency (fT)	30MHz
Вес, г	0.39