FZT692BTA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Gain & Crnt

Фото 1/6 FZT692BTA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Gain & Crnt
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 020 ֏
от 10 шт.840 ֏
от 100 шт.570 ֏
от 500 шт.438 ֏
1 шт. на сумму 1 020 ֏
Номенклатурный номер: 8004841722
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Gain & Crnt

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.65 mm
Длина 6.7 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 150 at 1 A, 2 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 500
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 70 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 70 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 2 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 150 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FZT692
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.7 mm
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0,5 В
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 0,9 В
Максимальное напряжение коллектор-база 70 В
Transistor Configuration Одинарный
Производитель DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 70 В
Тип корпуса SOT-223
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Максимальный пост. ток коллектора 2 A
Тип транзистора NPN
Число контактов 3 + Tab
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Размеры 6.7 x 3.7 x 1.65мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 150W
Base Product Number FZT692 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1A, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 150MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 2W
REACH Status REACH Affected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 70V
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Configuration Single Dual Collector
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 70
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 70
Maximum Emitter Base Voltage (V) 7
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.9@10mA@1A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.15@0.5mA@0.1A|0.5@10mA@1A|0.5@200mA@2A
Maximum DC Collector Current (A) 2
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 100
Minimum DC Current Gain 400@500mA@2V|150@1A@2V|500@100mA@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 3000
Maximum Transition Frequency (MHz) 150(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Supplier Temperature Grade Automotive
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Standard Package Name SOT
Pin Count 4
Supplier Package SOT-223
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 1.6
Package Length 6.5
Package Width 3.5
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Gull-wing
Maximum Collector Base Voltage 70 V
Maximum Collector Emitter Voltage 70 V
Maximum DC Collector Current 2 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Package Type SOT-223(SC-73)
Вес, г 0.112

Техническая документация

Datasheet
pdf, 910 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 105 КБ
Datasheet FZT692BTA
pdf, 861 КБ