FZT751TA, Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
880 ֏
от 10 шт. —
750 ֏
от 100 шт. —
493 ֏
от 500 шт. —
408 ֏
1 шт.
на сумму 880 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор биполярный FZT751TA от производителя DIODES INCORPORATED представляет собой высокопроизводительный компонент для современной электроники. С монтажом типа SMD, данный элемент легко интегрируется в печатные платы, обеспечивая надежное соединение. Транзистор типа PNP поддерживает ток коллектора до 3 А и напряжение коллектор-эмиттер до 60 В, что делает его подходящим для широкого спектра применений. Мощность устройства составляет 2 Вт, что обеспечивает эффективную работу в различных электрических цепях. Компактный корпус SOT223 выделяется простотой монтажа и экономией пространства на плате. Воспользуйтесь надежным и качественным компонентом FZT751TA для создания эффективных и долговечных электронных решений. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 3 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 60 |
| Мощность, Вт | 2 |
| Корпус | SOT223 |
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 450 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -3 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 140 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | FZT751 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальная рабочая частота | 140 MHz |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.25 V |
| Длина | 6.7мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | DiodesZetex |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 60 В |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 3.7мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 3 A |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 1.65мм |
| Число контактов | 3 + Tab |
| Размеры | 1.65 x 6.7 x 3.7мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 40 |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Maximum DC Collector Current | 3A |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Transistor Type | PNP |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 140 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 531 КБ
Datasheet FZT751TA
pdf, 272 КБ
Datasheet FZT751
pdf, 577 КБ
