FZT753TC, Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 100 ֏
от 10 шт. —
880 ֏
от 100 шт. —
600 ֏
от 500 шт. —
448 ֏
1 шт.
на сумму 1 100 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.65 mm |
| Длина | 6.7 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Серия | FZT753 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| Continuous Collector Current | 2А |
| DC Current Gain hFE Min | 25hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 25hFE |
| Power Dissipation | 3Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Частота Перехода ft | 140МГц |
| Вес, г | 0.112 |
