FZT792ATA, Bipolar Transistors - BJT PNP High gain
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 ֏
от 10 шт. —
660 ֏
от 100 шт. —
418 ֏
от 500 шт. —
335 ֏
1 шт.
на сумму 800 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 70В, 2А, 1,2Вт, SOT223 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.65 mm |
Длина | 6.7 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 200 at 1 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 70 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 160 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FZT792 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm |
Base Product Number | FZT792 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 160MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 2W |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 70V |
Maximum Collector Base Voltage | 75 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -70 V |
Maximum DC Collector Current | -2 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 160 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Minimum DC Current Gain | 300 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223(SC-73) |
Pin Count | 3+Tab |
Transistor Configuration | Single |
Collector Current (Ic) | 2A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 70V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@2A, 200mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 300@10mA, 2V |
Power Dissipation (Pd) | 2W |
Transition Frequency (fT) | 160MHz |
Вес, г | 0.112 |