FZT855TA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Current
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 150 ֏
от 10 шт. —
880 ֏
от 100 шт. —
700 ֏
от 500 шт. —
540 ֏
1 шт.
на сумму 1 150 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор биполярный FZT855TA от DIODES INCORPORATED – это высококачественный компонент для современной электроники. Модель обладает монтажом типа SMD, что обеспечивает простоту установки на печатные платы. С током коллектора 5 А и напряжением коллектор-эмиттер 150 В, данный транзистор способен работать в широком диапазоне электрических нагрузок. Мощность устройства составляет 3 Вт. Биполярный транзистор типа NPN в корпусе SOT223 идеален для использования в различных электронных схемах, где требуется надежность и долговечность. Код товара FZT855TA гарантирует легкость идентификации и заказа компонента, делая его удобным выбором для специалистов в области электроники. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Монтаж | SMD |
Ток коллектора, А | 5 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 150 |
Мощность, Вт | 3 |
Корпус | SOT223 |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 3 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.65 mm |
Длина | 6.7 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 at 5 A, 5 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 250 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 355 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 90 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FZT855 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Type | NPN |
Product Category | Bipolar Power |
Material | Si |
Configuration | Single Dual Collector |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 250 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 150 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.25@500mA@5A |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.04@5mA@100mA|0.065@50mA@500mA|0.11@100mA@1A|0.355@500mA@5A |
Maximum DC Collector Current (A) | 5 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
Minimum DC Current Gain | 15@5A@5V|100@1A@5V|100@10mA@5V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 90(Typ) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Standard Package Name | SOT |
Pin Count | 4 |
Supplier Package | SOT-223 |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 1.6 |
Package Length | 6.5 |
Package Width | 3.5 |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Gull-wing |
Base Product Number | FZT855 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 90MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Power - Max | 3W |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 355mV @ 500mA, 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Brand | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO | 250 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 150 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 355 mV |
Continuous Collector Current | 5 A |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 15 at 5 A, 5 V |
DC Current Gain HFE Max | 100 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Gain Bandwidth Product FT | 90 MHz |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current | 10 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Pd - Power Dissipation | 3 W |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | FZT855 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Вес, г | 0.112 |