FZT948TA, Bipolar Transistors - BJT PNP HighCt Low Sat
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 ֏
от 10 шт. —
750 ֏
от 100 шт. —
530 ֏
от 500 шт. —
405 ֏
1 шт.
на сумму 930 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 360 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | -6 A |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 15 at 20 A, 2 V |
DC Current Gain hFE Max: | 100 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 80 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 6 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | SOT-223-4 |
Pd - Power Dissipation: | 3 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | FZT948 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Collector Emitter Voltage Max | 20В |
Continuous Collector Current | 6А |
DC Current Gain hFE Min | 60hFE |
DC Усиление Тока hFE | 60hFE |
Power Dissipation | 3Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | PNP |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
Частота Перехода ft | 80МГц |
Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 571 КБ