ZDT749TA, Bipolar Transistors - BJT Dual PNP Medium Power

Фото 1/2 ZDT749TA, Bipolar Transistors - BJT Dual PNP Medium Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 460 ֏
от 10 шт.1 150 ֏
от 100 шт.830 ֏
1 шт. на сумму 1 460 ֏
Номенклатурный номер: 8004841764
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Dual PNP Medium Power

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 2.75 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.6 mm
Длина 6.7 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 35 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 25 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.23 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 2 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 160 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия ZDT749
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SM-8
Ширина 3.7 mm
Collector Emitter Voltage Max NPN -
Collector Emitter Voltage Max PNP 25В
Continuous Collector Current NPN -
Continuous Collector Current PNP
DC Current Gain hFE Min NPN -
DC Current Gain hFE Min PNP 75hFE
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE 75hFE
Power Dissipation NPN -
Power Dissipation PNP 2.75Вт
Transition Frequency NPN -
Transition Frequency PNP 160МГц
Квалификация -
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 25В
Рассеиваемая Мощность 2.75Вт
Стандарты Автомобильной Промышленности -
Стиль Корпуса Транзистора SM8
Вес, г 0.3583

Техническая документация

Datasheet ZDT749TA
pdf, 75 КБ