ZTX415, Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9 900 ֏

от 10 шт. — 8 300 ֏

от 25 шт. — 7 700 ֏

1 шт. на сумму 9 900 ֏

Номенклатурный номер: 8004841822

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN Avalanche

Pd - рассеивание мощности	680 mW
Вид монтажа	Through Hole
Высота	4.01 mm
Длина	4.77 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25 at 10 mA at 10 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	25 at 10 mA at 10 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	260 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	0.5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	40 MHz
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	ZTX415
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-92-3
Ширина	2.41 mm
Вес, г	0.4536