ZTX558, Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 ֏
от 10 шт. —
660 ֏
от 100 шт. —
423 ֏
от 500 шт. —
343 ֏
1 шт.
на сумму 800 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | 400 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -400 V |
| Maximum DC Collector Current | -200 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +200 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-92 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 0.4536 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet ZTX558
pdf, 79 КБ
