ZTX618, Bipolar Transistors - BJT NPN High Gain
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 020 ֏
от 10 шт. —
840 ֏
от 100 шт. —
560 ֏
от 500 шт. —
418 ֏
1 шт.
на сумму 1 020 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Gain
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 4.01 mm |
| Длина | 4.77 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 10 mA, 2 V, 300 at 200 mA, 2 V, 170 at 3 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 10 mA, 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3.5 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 210 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3.5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Серия | ZTX618 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Ширина | 2.41 mm |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet ZTX618
pdf, 199 КБ
