ZTX718, Bipolar Transistors - BJT PNP High Gain
![ZTX718, Bipolar Transistors - BJT PNP High Gain](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514956.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 020 ֏
от 10 шт. —
800 ֏
от 100 шт. —
560 ֏
от 500 шт. —
417 ֏
1 шт.
на сумму 1 020 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP High Gain
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 4.01 mm |
Длина | 4.77 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 150 at 2 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 10 mA, 2 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2.5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 190 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 2.5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Серия | ZTX718 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Ширина | 2.41 mm |
Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet ZTX718
pdf, 90 КБ