ZTX792ASTZ, Bipolar Transistors - BJT PNP Super E-Line

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 370 ֏

от 10 шт. — 1 060 ֏

от 100 шт. — 780 ֏

от 500 шт. — 620 ֏

1 шт. на сумму 1 370 ֏

Номенклатурный номер: 8004841878

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO:	75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	70 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	500 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	-2 A
DC Collector/Base Gain hFE Min:	300 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 200 at 1 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max:	300 at 10 mA, 2 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity:	2000
Gain Bandwidth Product fT:	100 MHz
Manufacturer:	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current:	2 A
Maximum Operating Temperature:	+200 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-92-3
Packaging:	Reel, Cut Tape
Pd - Power Dissipation:	1 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	PNP
Collector Emitter Voltage Max	70В
Continuous Collector Current	2А
DC Current Gain hFE Min	200hFE
DC Усиление Тока hFE	200hFE
Power Dissipation	1.5Вт
Квалификация	-
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	ZTX Series
Максимальная Рабочая Температура	200°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Полярность Транзистора	PNP
Стиль Корпуса Транзистора	E-Line
Частота Перехода ft	100МГц
Вес, г	0.45