ZTX853, Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 ֏
от 10 шт. —
800 ֏
от 100 шт. —
630 ֏
от 500 шт. —
530 ֏
1 шт.
на сумму 930 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 4А, 1,2Вт, TO92 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 200 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 160 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 4 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 130 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | ZTX853 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 86 КБ
