ZUMT717TA, Bipolar Transistors - BJT PNP Super323
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
436 ֏
от 10 шт. —
374 ֏
от 100 шт. —
278 ֏
от 500 шт. —
209 ֏
1 шт.
на сумму 436 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP Super323
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 200 at 50 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 10 mA, 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.25 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 12 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 185 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1.25 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 220 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | ZUMT7 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Ширина | 1.26 mm |
| Вес, г | 0.005 |
Техническая документация
Datasheet ZUMT717TA
pdf, 358 КБ
