ZUMTS17NTA, Bipolar Transistors - BJT SINGLE NPN 3.2GHz 330mW
![ZUMTS17NTA, Bipolar Transistors - BJT SINGLE NPN 3.2GHz 330mW](https://static.chipdip.ru/lib/173/DOC012173899.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
от 10 шт. —
335 ֏
от 100 шт. —
176 ֏
от 1000 шт. —
139 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT SINGLE NPN 3.2GHz 330mW
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 56 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 50 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 11 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3.2 GHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | ZUMTS17 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Collector Emitter Voltage Max | 11В |
Continuous Collector Current | 50мА |
DC Current Gain hFE Min | 56hFE |
DC Ток Коллектора | 50мА |
DC Усиление Тока hFE | 56hFE |
Power Dissipation | 310мВт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Корпус РЧ Транзистора | SOT-323 |
Линейка Продукции | - |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 11В |
Рассеиваемая Мощность | 310мВт |
Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
Частота Перехода ft | 3.2ГГц |
Вес, г | 0.005 |
Техническая документация
Datasheet ZUMTS17NTA
pdf, 216 КБ