ZXT13N15DE6TA, Bipolar Transistors - BJT 15V NPN SuperSOT4

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

880 ֏

от 10 шт. — 800 ֏

от 100 шт. — 484 ֏

от 500 шт. — 390 ֏

1 шт. на сумму 880 ֏

Номенклатурный номер: 8004842068

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 15V NPN SuperSOT4

Pd - рассеивание мощности	1.1 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.3 mm
Длина	3.1 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	300
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	900
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	15 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7.5 V
Непрерывный коллекторный ток	5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	72 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	ZXT13N15
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-6
Ширина	1.8 mm
Вес, г	0.0065