ZXT953KTC, Bipolar Transistors - BJT PNP 100V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 760 ֏
от 10 шт. —
1 370 ֏
от 100 шт. —
1 010 ֏
от 500 шт. —
800 ֏
1 шт.
на сумму 1 760 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP 100V
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 4200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 2.39 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 335 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | ZXT953 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Collector Emitter Voltage Max | 100В |
| Continuous Collector Current | 5А |
| DC Current Gain hFE Min | 15hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 15hFE |
| Power Dissipation | 4.2Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Частота Перехода ft | 125МГц |
| Вес, г | 0.2604 |
Техническая документация
Datasheet ZXT953KTC
pdf, 359 КБ
