ZXTD619MCTA, Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 060 ֏

от 10 шт. — 880 ֏

от 100 шт. — 590 ֏

от 500 шт. — 445 ֏

1 шт. на сумму 1 060 ֏

Номенклатурный номер: 8004842084

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE

Pd - рассеивание мощности	2.45 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	300 at 200 mA, 2 V
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	450 at 200 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	6 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	270 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	165 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	ZXTD619
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	DFN3020B-8
Вес, г	39