ZXTN04120HFFTA, Darlington Transistors NPN 120V DARLINGTON TRANSISTR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 ֏
от 10 шт. —
530 ֏
от 100 шт. —
344 ֏
от 500 шт. —
267 ֏
1 шт.
на сумму 620 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Darlington Transistors
Darlington Transistors, Diodes Inc.
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 140 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 120 V |
Configuration: | Single |
DC Current Gain hFE Max: | 3000 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 10 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Collector Cut-off Current: | 100 nA |
Maximum DC Collector Current: | 1 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-23F |
Product Category: | Darlington Transistors |
Product Type: | Darlington Transistors |
Series: | ZXTN04 |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1,5 В |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Количество элементов на ИС | 2 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,7 В |
Длина | 3мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Максимальное напряжение коллектор-база | 140 V |
Максимальный запирающий ток коллектора | 0.01mA |
Производитель | DiodesZetex |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 120 V |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 1 A |
Тип корпуса | SOT-23F |
Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Ширина | 1.7мм |
Тип транзистора | NPN |
Высота | 1мм |
Число контактов | 3 |
Размеры | 3 x 1.7 x 1мм |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 10 V |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
Maximum Collector Base Voltage | 140 V |
Maximum Collector Cut-off Current | 0.01mA |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 120 V |
Maximum Continuous Collector Current | 1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Minimum DC Current Gain | 1000 |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-23F |
Pin Count | 3 |
Transistor Type | NPN |
Width | 1.7mm |
Collector Current (Ic) | 1A |
Collector cut-off current (Icbo@Vcb) | 10uA |
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@2A, 5mA |
Collector-emitter voltage (Vceo) | 120V |
DC current gain (hFE@Vce,Ic) | 3000@5V, 1A |
Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
Transition frequency (fT) | 120MHz |
Вес, г | 0.1 |