MCP1403-E/P, Gate Drivers 4.5A Dual MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 430 ֏
от 120 шт. —
2 400 ֏
от 540 шт. —
2 110 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 430 ֏
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
Драйверы для управления затвором 4.5A Dual MOSFET
Технические параметры
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 28 ns |
| Время спада | 28 ns |
| Выходной ток | 4.5 A |
| Категория продукта | Драйверы для управления затвором |
| Количество выходов | 2 Output |
| Количество драйверов | 2 Driver |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение питания - мин. | 4.5 V |
| Подкатегория | PMIC - Power Management ICs |
| Рабочее напряжение питания | 20 V |
| Рабочий ток источника питания | 2 mA |
| Размер фабричной упаковки | 60 |
| Технология | Si |
| Тип | Inverting |
| Тип логики | CMOS, TTL |
| Тип продукта | Gate Drivers |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | PDIP-8 |
| Automotive | Yes |
| Driver Configuration | Inverting |
| Driver Type | Low Side |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Input Logic Compatibility | CMOS|TTL |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Fall Time (ns) | 28 |
| Maximum Operating Supply Voltage (V) | 18 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Maximum Propagation Delay Time (ns) | 48 |
| Maximum Rise Time (ns) | 28 |
| Maximum Supply Current (mA) | 2 |
| Minimum Operating Supply Voltage (V) | 4.5 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Drivers | 2 |
| Number of Outputs | 2 |
| Output Resistance (Ohm) | 2.2|2.8 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 8 |
| Peak Output Current (A) | 4.5(Typ) |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | Yes |
| Standard Package Name | DIP |
| Supplier Package | PDIP |
| Supplier Temperature Grade | Extended |
| Type | IGBT|MOSFET |
| Typical Input High Threshold Voltage (V) | 1.5 |
| Typical Input Low Threshold Voltage (V) | 1.3 |
| Вес, г | 1 |
