CSD13303W1015, MOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

580 ֏

от 10 шт. — 530 ֏

от 100 шт. — 352 ֏

от 500 шт. — 261 ֏

1 шт. на сумму 580 ֏

Номенклатурный номер: 8004997154

Unclassified

МОП-транзистор N-CH NexFET Pwr МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	3.5 A
Pd - рассеивание мощности	1.65 W
Qg - заряд затвора	3.9 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	20 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	12 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	850 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	3.2 ns
Высота	0.625 mm
Длина	1.5 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	NexFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	14 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	CSD13303W1015
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	14.7 ns
Типичное время задержки при включении	4.6 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка / блок	DSBGA-6
Ширина	1 mm
Вес, г	0.0017