CSD13381F4, MOSFETs 12V N-CH Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
379 ֏
от 10 шт. —
264 ֏
от 100 шт. —
106 ֏
от 1000 шт. —
73 ֏
1 шт.
на сумму 379 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 12V N-CH Pwr МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2.1 A |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Qg - заряд затвора | 1060 pC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 180 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 650 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 1.5 ns |
| Время спада | 3.8 ns |
| Высота | 0.35 mm |
| Длина | 1 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | CSD13381F4 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel FemtoFET MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 11 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.7 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | PICOSTAR-3 |
| Ширина | 0.64 mm |
| Brand | Texas Instruments |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 250 |
| Fall Time | 3.8 ns |
| Forward Transconductance - Min | 3.2 S |
| Height | 0.35 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 2.1 A |
| Length | 1 mm |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | Picostar-3 |
| Packaging | Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 1.06 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 180 mOhms |
| Rise Time | 1.5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | CSD13381F4 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.7 ns |
| Unit Weight | 0.000014 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 850 mV |
| Width | 0.64 mm |
| Вес, г | 159 |
Техническая документация
Datasheet CSD13381F4
pdf, 1919 КБ
Документация
pdf, 595 КБ
