CSD16325Q5, MOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET

CSD16325Q5, MOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 340 ֏
от 10 шт.1 850 ֏
от 100 шт.1 410 ֏
от 250 шт.1 140 ֏
1 шт. на сумму 2 340 ֏
Номенклатурный номер: 8004997166
Бренд: Texas Instruments

Описание

Unclassified
МОП-транзистор N-Channel NexFET Power МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 60 A
Pd - рассеивание мощности 3.1 W
Qg - заряд затвора 18 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.1 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 16 ns
Время спада 12 ns
Высота 1 mm
Длина 6 mm
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение NexFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 159 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия CSD16325Q5
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 32 ns
Типичное время задержки при включении 10.5 ns
Торговая марка Texas Instruments
Упаковка / блок VSON-Clip-8
Ширина 5 mm
Вес, г 0.118

Техническая документация

Datasheet CSD16325Q5
pdf, 257 КБ