CSD16325Q5, MOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET
![CSD16325Q5, MOSFETs N-Channel NexFET Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/589/DOC006589243.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 340 ֏
от 10 шт. —
1 850 ֏
от 100 шт. —
1 410 ֏
от 250 шт. —
1 140 ֏
1 шт.
на сумму 2 340 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор N-Channel NexFET Power МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
Qg - заряд затвора | 18 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 16 ns |
Время спада | 12 ns |
Высота | 1 mm |
Длина | 6 mm |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | NexFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 159 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | CSD16325Q5 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 32 ns |
Типичное время задержки при включении | 10.5 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | VSON-Clip-8 |
Ширина | 5 mm |
Вес, г | 0.118 |
Техническая документация
Datasheet CSD16325Q5
pdf, 257 КБ