CSD17305Q5A, MOSFETs 30V N Channel NexFET Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 900 ֏
от 10 шт. —
1 500 ֏
от 100 шт. —
1 080 ֏
от 500 шт. —
860 ֏
1 шт.
на сумму 1 900 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 30V N Channel NexFET Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
| Qg - заряд затвора | 14.1 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 6 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 139 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | CSD17305Q5A |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.9 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | VSONP-8 |
| Ширина | 4.9 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet CSD17305Q5A
pdf, 384 КБ
