CSD17318Q2T, MOSFETs 30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 16.9 mOhm 6-WSON -55 to 150
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 060 ֏
от 10 шт. —
840 ֏
от 100 шт. —
700 ֏
от 250 шт. —
690 ֏
1 шт.
на сумму 1 060 ֏
Описание
Unclassified
N-канал 30V 25A (Tc) 16W (Tc) Поверхностный монтаж 6-WSON (2x2)
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Pd - рассеивание мощности | 16 W |
| Qg - заряд затвора | 6 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 16 ns |
| Время спада | 4 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 42 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Серия | CSD17318Q2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | WSON-6 |
| Base Product Number | CSD17318 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 8V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 879pF @ 15V |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Power Dissipation (Max) | 16W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.1mOhm @ 8A, 8V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | NexFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | 6-WSON (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250ВµA |
| Continuous Drain Current (Id) | 25A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 15.1mΩ@8A, 8V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 879pF@15V |
| Power Dissipation (Pd) | 16W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6nC@4.5V |
| Type | null |
| Вес, г | 68 |
