CSD17483F4T, MOSFETs 30V,N-Ch FemtoFET MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 100 ֏
от 10 шт. —
930 ֏
от 100 шт. —
620 ֏
от 250 шт. —
600 ֏
1 шт.
на сумму 1 100 ֏
Описание
Unclassified
FemtoFET Power MOSFETTexas Instruments FemtoFET Power MOSFET имеют сверхмалые габариты (размер корпуса 0402) и сверхнизкое сопротивление (на 70 % меньше, чем у конкурентов). Эти полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкие характеристики Qg, Qgd и оптимизированный рейтинг электростатического разряда. Они доступны в пакете массива наземной сети (LGA). Этот пакет максимально увеличивает содержание кремния, что делает их идеальными для приложений с ограниченным пространством. Эти мощные полевые МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание мощности и низкие потери при переключении для улучшения характеристик при малой нагрузке. Типичными приложениями для этих устройств являются портативные, мобильные устройства, устройства переключения нагрузки, устройства общего назначения и аккумуляторы.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |
| Fall Time: | 3.4 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 2.4 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | PICOSTAR-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.01 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 230 mOhms |
| Rise Time: | 1.3 ns |
| Series: | CSD17483F4 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10.6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 850 mV |
| Base Product Number | CSD17483 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 500mA, 8V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | FemtoFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | 3-PICOSTAR |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250ВµA |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Package Type | PICOSTAR |
| Вес, г | 6 |
