CSD17577Q3AT, MOSFETs 30V NCH NexFET MOSFET
![Фото 1/2 CSD17577Q3AT, MOSFETs 30V NCH NexFET MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/219/DOC027219460.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/551/DOC047551864.jpg)
1 760 ֏
от 10 шт. —
1 370 ֏
от 100 шт. —
990 ֏
от 250 шт. —
930 ֏
1 шт.
на сумму 1 760 ֏
Описание
Unclassified
Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFETСиловые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Технические параметры
Brand: | Texas Instruments |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 750 |
Fall Time: | 4 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
Manufacturer: | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature: | +85 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | VSONP-8 |
Pd - Power Dissipation: | 53 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 27 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.3 mOhms |
Rise Time: | 31 ns |
Series: | CSD17577Q3 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | NexFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
Case | VSONP8 |
Dimensions | 3.3x3.3mm |
Drain current | 35A |
Drain-source voltage | 30V |
Gate charge | 12nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | TEXAS INSTRUMENTS |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 5.3mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 53W |
Technology | NexFET™ |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 0.03 |